类金刚石薄膜制备及光电器件应用获得中国商业联合会科学技术进步二等奖

由中国商业联合会主办的2021年全国商业科技质量大会发布了2021年中国商业联合会科学技术奖评选结果。常州鼎先电子有限公司所作为参与单位，联合常州工学院申报项目《类金刚石薄膜制备及光电器件应用》获得2021年度中国商业联合会科学技术进步奖二等奖。

本研究项目公开一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法，包括：（1）预处理：清洗硅片表面杂质；（2）碱刻蚀：利用碱性溶液对所述硅片进行腐蚀，在硅片的表面形成倒金字塔结构；（3）硅衬底上沉积氧化膜：在有倒金字塔结构的硅衬底上沉积氧化锶薄膜，并在真空条件下退火，去除硅表面的氧化硅层；（4）硅衬底上生长类金刚石薄膜：除去氧化硅后，在氧化锶薄膜上沉积多晶型类金刚石薄膜；沉积多晶型类金刚石薄膜的工艺是：以石墨作为靶材，通入氩气，利用磁控溅射方法沉积形成多晶型类金刚石薄膜。本发明的方法采用在硅衬底上沉积氧化锶去除硅表面氧化硅层的方法，减少了类金刚石薄膜中非晶态的比例，提高了类金刚石薄膜的结晶质量。